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EDF1DM

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商General Instrument Corp
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EDF1DM概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon,

EDF1DM规格参数

参数名称属性值
厂商名称General Instrument Corp
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流0.000005 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

EDF1DM相似产品对比

EDF1DM EDF1AM EDF1CM EDF1BM
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 50V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 150V V(RRM), Silicon, Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 100V V(RRM), Silicon,
厂商名称 General Instrument Corp General Instrument Corp General Instrument Corp General Instrument Corp
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.05 V 1.05 V 1.05 V 1.05 V
JESD-30 代码 R-PDIP-T4 R-PDIP-T4 R-PDIP-T4 R-PDIP-T4
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A 50 A
元件数量 4 4 4 4
相数 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 150 V 100 V
最大反向电流 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA 0.000005 µA
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL

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