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EDF1DM

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM)
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共3页
制造商Transpro Electronics Corp
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EDF1DM概述

Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM)

EDF1DM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Transpro Electronics Corp
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-609代码e0
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

EDF1DM相似产品对比

EDF1DM EDF1AM EDF1BM EDF1CM
描述 Bridge Rectifier Diode, 1A, 200V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 50V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 100V V(RRM) Bridge Rectifier Diode, 1A, 150V V(RRM)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp Transpro Electronics Corp
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 4 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 100 V 150 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

 
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