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DS1380

产品描述Non-Volatile SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24,
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文件大小135KB,共3页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1380概述

Non-Volatile SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24,

DS1380规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间100 ns
其他特性DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.007 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

DS1380相似产品对比

DS1380 DS1380S
描述 Non-Volatile SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDSO24,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 100 ns 100 ns
其他特性 DATA RETENTION > 10 YEARS DATA RETENTION > 10 YEARS
JESD-30 代码 R-PDIP-T24 R-PDSO-G24
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 24 24
字数 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP24,.6 SOP24,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.007 A 0.007 A
最大压摆率 0.025 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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