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DS1265AB

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36,
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文件大小494KB,共8页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1265AB概述

Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36,

DS1265AB规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码R-PDIP-T36
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

DS1265AB相似产品对比

DS1265AB DS1265Y
描述 Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36,
厂商名称 DALLAS DALLAS
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 70 ns 70 ns
其他特性 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码 R-PDIP-T36 R-PDIP-T36
内存密度 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 36 36
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL

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