Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | DALLAS |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T36 |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 36 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
DS1265AB | DS1265Y | |
---|---|---|
描述 | Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, | Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, PDIP36, |
厂商名称 | DALLAS | DALLAS |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最长访问时间 | 70 ns | 70 ns |
其他特性 | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD | 10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T36 | R-PDIP-T36 |
内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 36 | 36 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1MX8 | 1MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL | DUAL |
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