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HER106

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小86KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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HER106概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM),

HER106规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO

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HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS
HER101 THRU HER108
1.0 AMP. High Efficient Rectifiers
Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
Cases: DO-41 Molded Plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed: 250℃/10 seconds/.375"(9.5mm) lead lengths at 5 lbs., (2.3kg) tension
Weight: 0.34gram
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
HER
101
50
35
50
HER
102
100
70
100
HER
103
200
140
200
HER
104
300
210
300
1.0
HER
105
400
280
400
HER
106
600
420
600
HER
107
800
560
800
HER
108
1000
700
1000
Type Number
Maximum Recurrent peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current 0.375"(9.5mm) Lead length
@T
A
=55℃
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating Temperature Range T
J
Storage Temperature Range T
STG
Units
V
V
V
A
30
A
1.0
1.3
5.0 (@T
A
=25℃)
100 (@T
A
=100℃)
50
20
-65 to +125
-65 to +150
1.7
V
µA
µA
nS
pF
75
15
Notes:
1.Reverse Recovery Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
2.Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C.
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