Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SMCJ8.5

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SMCJ8.5: 产品描述SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小2MB，共4页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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SMCJ8.5概述

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

功能特点

产品名称：SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 表面贴装瞬态抑制器

产品型号：SMCJ8.5

产品特征：

For surface mounted application

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Fast response time : Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min.

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed: 250℃/ 10 seconds at terminals

Plastic material used carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

600 watts peak pulse power capability with a 10×1000 us waveform by 0.01% duty cycle

机械数据：

Casea: molded plastic

Terminals: Solder plated

Polarity: Indicated by cathode band

Standard Pcakaging : 16mm tape (EIA STD RS-481)

Weight: 0.21 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at Ta=25℃ Tp=1ms PPK 正向功耗：Minimun 1500W

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method)- Unidirectional Only IFSM 正向脉冲流： 100A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 100A for Unidirectional Only

VF 最正向压降：3.5/5.0 V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +150℃

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 9.44V Max：11.5V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：8.5V

Max Reverse Leakage at Vwm IR 最大反向漏电流： 20μA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：99A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：15.9V

封装：SMC/DO214-AB

SMCJ8.5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	11.5 V
最小击穿电压	9.44 V
击穿电压标称值	10.47 V
最大钳位电压	15.9 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	3.5 V
JEDEC-95代码	DO-214AB
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6.5 W
最大重复峰值反向电压	8.5 V
最大反向电流	20 µA
反向测试电压	8.5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

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