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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUV47ALEADFREE
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BUV47ALEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB，共1页
制造商Central Semiconductor
标准  
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BUV47ALEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin

BUV47ALEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)9 A
集电极-发射极最大电压450 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-218
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Power Transistors
TO-218 Case*
NPN High Voltage Switching
TYPE NO.
IC
(A)
PD
(W)
BVCBO
(V)
MIN
2N6931**
2N6932**
2N6933**
2N6934**
2N6935**
BU426**
BU426A**
BU508**
BU508A**
BU508D**
BUV47**
BUV47A**
BUV48**
BUV48A**
TIP51**
TIP52**
TIP53**
TIP54**
10
10
15
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6.0
6.0
8.0
8.0
8.0
9.0
9.0
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3.0
3.0
3.0
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150
150
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175
175
115
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125
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125
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100
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350
450
450
550
650
800
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1,000
1,500
1,500
850
1,000
850
1,000
350
400
450
500
BVCEO
(V)
MIN
300
400
300
350
400
375
400
700
700
700
400
450
400
450
250
300
350
400
VCE(SAT)
(V)
MAX
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
5.0
1.0
1.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
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1.5
1.5
10
10
15
15
15
2.5
2.5
4.5
4.5
4.5
6.0
5.0
10
8.0
3.0
3.0
3.0
3.0
2,000
2,000
3,000
3,000
3,000
500
500
2,000
2,000
2,000
1,200
1,000
2,000
1,600
600
600
600
600
@ IC
(A)
@ IB
(mA)
toff
µ
(µs)
†TYP
MAX
3.0
3.0
3.0
3.0
3.0
4.0
4.0
--
--
--
3.3
3.8
3.8
3.5
2.0†
2.0†
2.0†
2.0†
fT
(MHz)
†TYP
MIN
--
--
--
--
--
--
--
7.0†
7.0†
7.0†
--
--
--
--
2.5
2.5
2.5
2.5
**Available on special order only; Please consult factory.
*Devices are also available in TO-247 Case
(isolated mounting hole) on special order.
Top View
Bottom View
TO-247 Case
(6-December 2004)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

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描述 Power Bipolar Transistor, 9A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.75W, 291000ohm, 200V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 2208, RESISTOR, METAL GLAZE/THICK FILM, 1 W, 5 %, 300 ppm, 220 ohm, SURFACE MOUNT, 2512, CHIP Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Surface Mount Quartz Crystal Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 375V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅 不含铅 不含铅 - 含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor - - Central Semiconductor - Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant compliant unknown compliant compliant - compliant compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR - - COLLECTOR - COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 9 A 8 A - - 15 A - 6 A 15 A 8 A
集电极-发射极最大电压 450 V 700 V - - 400 V - 375 V 450 V 700 V
配置 SINGLE SINGLE - - SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-218 TO-218 - - TO-218 - TO-218 TO-218 TO-218
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - - R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 - e0 e3 - e3 e3 e3
元件数量 1 1 - - 1 - 1 1 1
端子数量 3 3 2 2 3 - 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMT SMT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 - - 260 - 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN - - NPN - NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO - YES NO - NO NO NO
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) - Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier MATTE TIN (315) - MATTE TIN (315) MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE - - SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 - - 10 - 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - - SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - - SILICON - SILICON SILICON SILICON

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