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HZS3B3

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小83KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准  
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HZS3B3概述

Zener Diode,

HZS3B3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-34
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
参考标准TS 16949
标称参考电压3.1 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压0.5 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差3.23%
工作测试电流5 mA
PCF8578 datasheet
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