MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
™
Data Sheet
SWITCHMODE
™
NPN
Designer's
Bipolar
Power Transistor for Electronic
Light Ballast and Switching
Power Supply Applications
The MJE/MJF18206 have an application specific state–of–the–art die dedicated to
the electronic ballast (“light ballast”) and power supply applications.
•
Improved Global Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
— High and Flat DC Current Gain hFE
— Fast Switching
— No Coil Required in Base Circuit for fast Turn–Off (No Current Tail)
•
Full Characterization at 125
_
C
•
Motorola “6 SIGMA” Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric
Distributions
•
Two Package Choices: Standard TO–220 or Isolated TO–220
MJE18206
MJF18206
POWER TRANSISTORS
8 AMPERES
1200 VOLTS
40 and 100 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCBO
VCES
MJE18206
MJF18206
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
600
1200
1200
10
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Base Current — Continuous
— Peak (1)
RMS Isolation Voltage (2)
(for 1 sec, R.H.
≤
30%)
TC = 25°C
8
16
5
9
Per Figure 22
Per Figure 23
Per Figure 24
VISOL1
VISOL2
VISOL3
PD
4500
3500
1500
40
0.32
Volts
*Total Device Dissipation @ TC = 25°C
*Derate above 25
_
C
Operating and Storage Temperature
100
0.8
Watt
W/
_
C
TJ, Tstg
– 65 to 150
CASE 221A–06
TO–220AB
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
R
θJC
R
θJA
TL
MJE18206
1.25
62.5
MJF18206
3.125
62.5
Unit
Thermal Resistance — Junction to Case
— Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
_
C/W
_
C
260
CASE 221D–02
TO–220 FULLPACK
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
10%.
(2) Proper strike and creepage distance must be provided.
v
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–769
Î Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
MJE18206 MJF18206
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
Input Capacitance (VEB = 8 Vdc)
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Dynamic Saturation
Voltage:
V lt
µ
Determined 1
µs
and
3
µs
respectively after
rising IB1 reaches
90% of final IB1
Collector Cutoff Current
(VCE = 1000 V, VBE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 1200 V, IE = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VBE = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 550 V, IB = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 550 V, IB = 0)
DC Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 5 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.3 Adc, IB = 0.13 Adc)
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA, IC = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
(IC = 200 mA, L = 25 mH, R = 200
Ω)
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA, IE = 0)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc)
(IC = 3 Adc, VCE = 1 Vdc)
(IC = 1 Adc, VCE = 5 Vdc)
(IC = 3 Adc, IB = 0.6 Adc)
(IC = 3 Adc, IB = 0.6 Adc)
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
IC = 1.3 Adc
IB1 = 130 mAdc
VCC = 300 V
IC = 3 Adc
IB1 = 0 6 Adc
0.6
VCC = 300 V
Characteristic
@ 3
µs
@ 1
µs
@ 3
µs
@ 1
µs
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCEO(sus)
VCER(sus)
VCBO
VCE(dsat)
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
VEBO
ICBO
ICEO
IEBO
ICES
Cob
hFE
Cib
fT
1200
Min
550
600
18
10
18
11
5
4
1320
14.5
0.91
0.8
0.85
0.75
0.77
0.67
12.9
Typ
630
700
4.5
7.5
0.3
0.4
0.4
0.8
25
25
13
33
20
6
8
6
100
1000
100
200
2000
2000
0.75
1
Max
0.75
1.25
100
100
200
1.1
1
1.1
1
1
0.9
50
45
µAdc
µAdc
µAdc
µAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
—
—
—
V
3–770
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200
µH)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
≤
10%, Pulse Width = 40
µs)
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Turn–off Time
Turn–on Time
Turn–off Time
Turn–on Time
Turn–off Time
Turn–on Time
Turn–off Time
Turn–on Time
IC = 1 Adc, IB1 = 100 mAdc
IB2 = 500 mAdc
VCC = 300 Vdc
IC = 1 Adc, IB1 = 70 mAdc
Adc
IB2 = 1 Adc
VCC = 125 Vdc
PW = 70
µs
IC = 3 Adc, IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 0.6 Adc
VCC = 300 Vdc
IC = 3 Adc, IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 1.5 Adc
VCC = 300 Vdc
Characteristic
IC = 1.3 Adc
1 3 Ad
IB1 = 0.13 Adc
IB2 = 0.65 Adc
IC = 3 Adc
Ad
IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 0.6 Adc
IC = 3 Adc
Ad
IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 1.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
Symbol
ton
ton
ton
toff
toff
toff
td
tc
ts
tc
ts
tc
ts
ts
tr
tf
tf
tf
tf
Min
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
600
1100
4.25
5.1
2.25
2.5
Typ
350
500
500
700
300
400
260
300
150
225
250
225
450
600
400
125
190
200
1.6
1.9
3.7
4.5
2
2.5
2
2.5
2.75
2.75
Max
800
500
800
450
350
200
350
700
750
300
250
350
1.2
4.5
2.5
5
2
MJE18206 MJF18206
3–771
Unit
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MJE18206 MJF18206
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
TJ = 125°C
hFE , DC CURRENT GAIN
TJ = 25°C
VCE = 1 V
hFE , DC CURRENT GAIN
100
TJ = 125°C
TJ = 25°C
VCE = 3 V
TJ = – 20°C
10
10
TJ = – 20°C
1
0.001
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.001
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volts
100
TJ = 125°C
hFE , DC CURRENT GAIN
VCE = 5 V
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
2
TJ = 25°C
VCE(sat)
VCE(sat) (I = 2 A)
C
(IC = 1 A)
4A
1
3A
7A
5A
10
TJ = – 20°C
TJ = 25°C
1
0.001
0
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
10
100
1000
IB, BASE CURRENT (mA)
10000
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volts
Figure 4. Collector Saturation Region
10
IC/IB = 5
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
1
10
IC/IB = 10
1
0.1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
0.01
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
0.01
0.001
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.01
0.001
Figure 5A. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5B. Collector–Emitter Saturation Voltage
3–772
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE18206 MJF18206
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
1.5
10000
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
Cib (pF)
1000
1
TJ = – 20°C
0.5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
0.001
IC/IB = 5
IC/IB = 10
10
0.1
1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
Cob (pF)
100
Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
Figure 7. Capacitance
1600
1400
1200
t, TIME (ns)
1000
800
600
400
200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
4.5
5
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20
µs
IC/IB = 5
IC/IB = 10
125°C
8
7
6
25°C
t, TIME (
µ
s)
5
4
3
2
1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
4.5
5
IC/IB = 10
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20
µs
Figure 8. Resistive Switching, ton
Figure 9. Resistive Switching, toff
6
TJ = 125°C
TJ = 25°C
5
t, TIME (ns)
t si , STORAGE TIME (
µs)
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
µH
6
TJ = 125°C
TJ = 25°C
5
IC = 1 A
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200
µH
4
IC/IB = 5
3
IC/IB = 10
2
0.5
1
2
2.5
1.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
3.5
4
IC = 2 A
3
3
5
7
11
9
hFE, FORCED GAIN
13
15
Figure 10. Inductive Storage Time, tsi
Figure 11. Inductive Storage Time
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–773
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
