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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE182
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MJE182

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小179KB，共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
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MJE182概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

MJE182规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码SIP
包装说明TO-126, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)12
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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MCC
Features
•
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

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$ %    !"#
MJE172 PNP
MJE182 NPN
This device is designed for low power audio amplifier and low current,
high speed switching applications.
Silicon Power
Transistor
TO-126
A
K
D
Maximum Ratings
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
T
J
T
STG
Symbol
P
D
P
D
R
J C
R
JA
Symbol
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
P
eak
Base Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
Total Device Dissipation
Derate above 25
O
C
Total Device Dissipation
Derate above 25
O
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Parameter
Collector-Emitter Sustaining Voltage
(I
C
=10mAdc, I
E
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
=100Vdc, I
E
=0)
(V
CB
=100Vdc, I
E
=0, T
C
=150
O
C)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=7.0Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=100mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=1.5Adc, V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
(I
C
=1.5Adc, I
B
=150mAdc)
(I
C
=3.0Adc, I
B
=600mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=1.5Adc, I
B
=150mAdc)
(I
C
=3.0Adc, I
B
=600mAdc)
Base-Emitter On Voltage
(I
C
=500mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
Rating
80
100
7.0
3.0
6.0
1.0
-55 to +150
-55 to +150
Max
1.5
0.012
12.5
0.1
10
83.4
Min
Max
Unit
V
V
V
A
A
O
C
O
C
Unit
W
W/
O
C
W
W/
O
C
O
C/W
O
C/W
Units
1
2
J
3
J
Q
R
E
B
Thermal Characteristics
F
G
L
H
C
M
N
P
Electrical Characteristics @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
OFF CHARACTERISTICS
V
CEO(sus)
I
CBO
80
---
---
---
---
0.1
0.1
0.1
Vdc
uAdc
mAdc
uAdc
















!
 
















PIN 1.
PIN 2.
PIN 3.
EMITTER
COLLECTOR
BASE
I
E BO


























































 
ON CHARACTERISTICS
h
FE
50
30
12
---
---
---
---
---
---
250
---
---
0.3
0.9
1.7
1.5
2.0
1.2
---
V
CE(sat)
Vdc
V
BE(sat)
Vdc
Vdc
V
BE(on)
www.mccsemi.com

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描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码 SIP SIP SIP
包装说明 TO-126, 3 PIN TO-126, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 12 12 12
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN PNP NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
是否无铅 - 不含铅 不含铅

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