MJE18004G, MJF18004G
SWITCHMODE
NPN Bipolar Power Transistor
For Switching Power Supply Applications
The MJE/MJF18004G have an applications specific state−of−the−art
die designed for use in 220 V line−operated SWITCHMODE Power
supplies and electronic light ballasts.
Features
♦
♦
♦
http://onsemi.com
•
Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
•
•
•
•
•
High and Flat DC Current Gain h
FE
Fast Switching
No Coil Required in Base Circuit for Turn−Off (No Current Tail)
Full Characterization at 125_C
ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
Two Package Choices: Standard TO−220 or Isolated TO−220
MJF18004, Case 221D, is UL Recognized at 3500 V
RMS
: File
#E69369
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
Rating
Symbol
V
CEO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
V
ISOL
Value
450
1000
9.0
5.0
10
2.0
4.0
MJF18004
4500
3500
1500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
Adc
V
1
2
POWER TRANSISTOR
5.0 AMPERES
1000 VOLTS
35 and 75 WATTS
COLLECTOR
2,4
1
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Collector Current
Base Current
Base Current
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
MARKING
DIAGRAMS
4
MJE18004G
AYWW
RMS Isolation Voltage (Note 2)
Test No. 1 Per Figure 22a
Test No. 2 Per Figure 22b
Test No. 3 Per Figure 22c
(for 1 sec, R.H. < 30%, T
A
= 25_C)
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
MJE18004
MJF18004
Derate above 25°C
MJE18004
MJF18004
Operating and Storage Temperature
3
TO−220AB
CASE 221A−09
STYLE 1
P
D
75
35
0.6
0.28
−65
to 150
W
W/_C
T
J
, T
stg
_C
1
2
TO−220 FULLPACK
CASE 221D
STYLE 2
UL RECOGNIZED
3
G
A
Y
WW
= Pb−Free Package
= Assembly Location
= Year
= Work Week
MJF18004G
AYWW
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction−to−Case
MJE18004
MJF18004
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds
Symbol
R
qJC
Max
1.65
3.55
62.5
260
Unit
_C/W
R
qJA
T
L
_C/W
_C
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 8 of this data sheet.
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
≤
10%.
2. Proper strike and creepage distance must be provided.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
*For additional information on our Pb−Free strategy
and soldering details, please download the
ON Semiconductor Soldering and Mounting
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
Publication Order Number:
MJE18004/D
August, 2013
−
Rev. 11
1
MJE18004G, MJF18004G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise specified)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 800 V, V
EB
= 0)
Emitter Cutoff Current (V
EB
= 9.0 Vdc, I
C
= 0)
(T
C
= 25_C)
(T
C
= 125_C)
(T
C
= 125_C)
V
CEO(sus)
I
CEO
I
CES
450
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
100
100
500
100
100
Vdc
mAdc
mAdc
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î ÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î ÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
Base−Emitter Saturation Voltage (I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
(I
C
= 2.0 Adc, I
B
= 0.4 Adc)
(I
C
= 2.5 Adc, I
B
= 0.5 Adc)
V
BE(sat)
0.82
0.92
0.25
0.29
0.3
0.36
0.5
21
20
−
32
11
7.5
22
1.1
1.25
0.5
0.6
0.45
0.8
0.75
−
−
34
−
−
−
−
Vdc
Vdc
V
CE(sat)
(T
C
= 125_C)
(T
C
= 125_C)
DC Current Gain (I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 2.5 Vdc)
DC Current Gain
(I
C
= 0.3 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
DC Current Gain
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(T
C
= 125_C)
h
FE
(T
C
= 125_C)
(T
C
= 125_C)
DC Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
12
−
14
−
6.0
−
10
−
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth (I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
Input Capacitance (V
EB
= 8.0 V)
Dynamic Saturation Voltage:
Determined 1.0
ms
and
3.0
ms
respectively after
rising I
B1
reaches 90% of
final I
B1
(see Figure 18)
f
T
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
13
50
−
MHz
pF
pF
C
ob
C
ib
65
800
6.8
14
2.4
5.6
1000
−
−
−
−
−
−
−
−
(I
C
= 1.0 Adc
I
B1
= 100 mAdc
V
CC
= 300 V)
1.0
ms
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
V
CE(dsat)
Vdc
3.0
ms
1.0
ms
3.0
ms
(I
C
= 2.0 Adc
I
B1
= 400 mAdc
V
CC
= 300 V)
11.3
15.5
1.3
6.1
I
EBO
mAdc
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(V
clamp
= 300 V, V
CC
= 15 V, L = 200
mH)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
v
10%, Pulse Width = 20
ms)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
— continued (T
C
= 25_C unless otherwise specified)
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Fall Time
Storage Time
Turn−On Time
Turn−Off Time
Turn−On Time
Turn−Off Time
Turn−On Time
(I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc,
I
B2
= 0.5 Adc,
V
BE(off)
=
−
5.0 Vdc)
(I
C
= 2.0 Adc, I
B1
= 0.4 Adc,
I
B2
= 1.0 Adc)
(I
C
= 1.0 Adc, I
B1
= 0.1 Adc,
I
B2
= 0.5 Adc)
(I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= 0.5 Adc,
I
B2
= 0.5 Adc, V
CC
= 250 V)
(I
C
= 2.0 Adc, I
B1
= 0.4 Adc,
I
B1
= 1.0 Adc, V
CC
= 300 V)
(I
C
= 1.0 Adc, I
B1
= 0.1 Adc,
I
B2
= 0.5 Adc, V
CC
= 300 V)
Characteristic
MJE18004G, MJF18004G
http://onsemi.com
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
Symbol
t
on
t
on
t
on
t
off
t
off
t
si
t
si
t
si
t
c
t
fi
t
c
t
fi
t
c
t
fi
t
s
t
f
Min
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.75
1.0
Typ
70
100
90
150
250
250
180
250
180
160
100
100
275
500
450
900
210
180
1.7
2.2
1.1
1.4
2.0
2.2
1.5
1.8
1.0
1.3
75
90
800
1400
Max
350
500
130
175
300
−
175
−
250
−
150
−
400
800
300
−
110
−
1.0
1.3
2.5
−
1.7
−
3.0
3.5
2.5
−
1.7
−
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
ms
ms
3
MJE18004G, MJF18004G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
V
CE
= 1 V
T
J
= 125°C
h FE , DC CURRENT GAIN
h FE , DC CURRENT GAIN
T
J
= 125°C
100
V
CE
= 5 V
T
J
= - 20°C
10
T
J
= 25°C
T
J
= - 20°C
10
T
J
= 25°C
1
0.01
0.10
1.00
10.00
1
0.01
0.10
1.00
10.00
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
2.0
T
J
= 25°C
V CE , VOLTAGE (VOLTS)
10.00
V CE , VOLTAGE (VOLTS)
1.5
1.5 A
1.0
1A
0.5
I
C
= 0.5 A
0
0.01
0.10
1.00
10.00
2A
3A
4A
1.00
0.10
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.10
1.00
10.00
0.01
0.01
I
B
, BASE CURRENT (AMPS)
I
C,
COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage
1.1
1.0
V BE , VOLTAGE (VOLTS)
10000
C
ib
1000
C, CAPACITANCE (pF)
T
J
= 25°C
f = 1 MHz
0.9
0.8
0.7
0.6
T
J
= 125°C
0.5
0.4
0.01
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 5
0.10
1.00
10.00
T
J
= 25°C
100
C
ob
10
1
1
10
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 5. Base−Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
http://onsemi.com
4
MJE18004G, MJF18004G
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
(I
B2
= I
C
/2 for all switching)
1800
1600
1400
1200
t, TIME (ns)
1000
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
500
0
0
1
2
3
4
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
/I
B
= 10
I
B(off)
= I
C
/2
V
CC
= 300 V
PW = 20
ms
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
C
/I
B
= 5
3000
2500
2000
t, TIME (ns)
I
C
/I
B
= 10
1500
1000
I
C
/I
B
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
B(off)
= I
C
/2
V
CC
= 300 V
PW = 20
ms
Figure 7. Resistive Switching, t
on
3500
3000
I
C
/I
B
= 5
2500
t, TIME (ns)
2000
1500
1000
500
0
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
1
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
B(off)
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
3500
3000
t si STORAGE TIME (ns)
,
2500
2000
Figure 8. Resistive Switching, t
off
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
B(off)
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
I
C
= 2 A
1500
1000
I
C
= 1 A
3
4
5
6
7
8
9 10 11
h
FE
, FORCED GAIN
12
13
14
15
I
C
/I
B
= 10
5
3
4
2
I
C
COLLECTOR CURRENT (AMPS)
500
Figure 9. Inductive Storage Time, t
si
Figure 10. Inductive Storage Time, t
si
(h
FE
)
300
250
200
t, TIME (ns)
150
100
50
0
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
B(off)
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
0
1
2
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
3
4
5
t
fi
t
c
250
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
200
t, TIME (ns)
150
t
c
100
V
Z
= 300 V
V
CC
= 15 V
I
B(off)
= I
C
/2
L
C
= 200
mH
0
1
2
3
50
0
t
fi
4
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. Inductive Switching, t
c
and t
fi
, I
C
/I
B
= 5
Figure 12. Inductive Switching, t
c
and t
fi
, I
C
/I
B
= 10
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
