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SMBJ6.5C

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共4页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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SMBJ6.5C概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

SMBJ6.5C规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性PRSM-MIN
最大击穿电压9.14 V
最小击穿电压7.22 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压6.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL

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SMBJ SERIES
SURFACE MOUNT
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
FEATURES
Rating to 200V VBR
For surface mounted applications
Reliable low cost construction utilizing molded plastic
.
REVERSE VOLTAGE
- 5.0
to
170
Volts
POWER DISSIPATION
- 600
Watts
SMB
technique
Plastic material has UL recognition 94V-0
Typical IR less than 1µA above 10V
Fast response time:typically less than 1.0ns for
.083(2.11)
.075(1.91)
.155(3.94)
.130(3.30)
Uni-direction,less than 5.0ns fo Bi-direction,from 0 Volts
to BV min
.185(4.70)
.160(4.06)
.012(.305)
.006(.152)
.096(2.44)
.084(2.13)
.060(1.52)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
MECHANICAL DATA
Case : Molded Plastic
Polarity:by cathode band denotes uni-directional device
none cathode band denotes bi-directional device
Weight : 0.003 ounces, 0.093 grams
.220(5.59)
.200(5.08)
Dimensions in inches and(millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Peak Power Dissipation at T
A
=25℃
TP=1ms (NOTE1,2)
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Steady State Power Dissipation at T
L
=75℃
Maximum Instantaneous Forward Voltage
at 50A for Unidirectional Devices Only (NOTE3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
P
PK
VALUE
Minimum 600
UNIT
WATTS
I
FSM
P
M(AV)
V
F
T
J
T
STG
100
5.0
SEE NOTE4
-55 to + 150
-55 to + 175
AMPS
WATTS
VOLTS
NOTES:1. Non-repetitive current pulse ,per Fig. 3 and derated above T
A
=25℃ per Fig. 1.
2. Thermal Resistance junction to Lead.
3. 8.3ms single half-wave duty cycle=4 pulses per minutes maximum (uni-directional units only).
4. V
F
=3.5V on SMBJ5.0 thru SMBJ90A devices and V
F
=5.0V on SMBJ100 thru SMBJ170A devices.
~ 284 ~
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