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HB56UW464EJ-6B

产品描述EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小244KB,共26页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56UW464EJ-6B概述

EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HB56UW464EJ-6B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度25.4 mm
最大待机电流0.018 A
最大压摆率1.602 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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HB56UW464EJ-6B/7B/8B
4,194,304-word
×
64-bit High Density Dynamic RAM Module
168-pin JEDEC Standard Outline Buffered 8 byte DIMM
ADE-203-562(Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Apr. 16, 1996
Description
The HB56UW464EJ belongs to 8 Byte DIMM (Dual In-line Memory Module) family, and has been
developed as an optimized main memory solution for 4 and 8 Byte processor applications.
The HB56UW464EJ is a 4M
×
64 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM
(HM51W16405BS) sealed in SOJ package,1 piece of 16-bit CMOS line driver (74ALVCH16244)
sealed in TSSOP package and 1 piece of 20-bit CMOS line driver (74ALVCH16827) sealed in TSSOP
package. The HB56UW464EJ offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access
mode. An outline of the HB56UW464EJ is 168-pin socket type package (dual lead out). Therefore,
the HB56UW464EJ makes high density mounting possible without surface mount technology. The
HB56UW464EJ provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted
beneath each SOJ on the module board.
Features
168-pin socket type package (Dual lead out)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 3.3 V (±0.3 V) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 60/70/80 ns (max)
Access time: t
CAC
= 20/23/25 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 4.62/4.04/3.75 W (max)
Standby mode (TTL): 123 mW (max)
Standby mode (CMOS): 64.8 mW (max)
Buffered input except
RAS
and DQ
4 byte interleave enabled, dual address input (A0/B0)
EDO page mode capability
4,096 refresh cycle: 64 ms
2 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh

HB56UW464EJ-6B相似产品对比

HB56UW464EJ-6B HB56UW464EJ-7B HB56UW464EJ-8B
描述 EDO DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 4MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 70 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 4MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096
座面最大高度 25.4 mm 25.4 mm 25.4 mm
最大待机电流 0.018 A 0.018 A 0.018 A
最大压摆率 1.602 mA 1.442 mA 1.282 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1
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