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MTD3055VL-1

产品描述TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小226KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MTD3055VL-1概述

TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power

MTD3055VL-1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
制造商包装代码CASE 369D-01
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)72 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.18 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)42 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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