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HB52R168DB-10DL: 产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小586KB，共57页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB52R168DB-10DL概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144

HB52R168DB-10DL规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C
最低工作温度
组织	16MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
最大待机电流	0.032 A
最大压摆率	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL

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HB52R168DB-D

128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM

16-Mword

64-bit, 66 MHz Memory Bus, 1-Bank Module

(16 pcs of 16 M

4 components)

ADE-203-973 (Z)

Preliminary, Rev. 0.0

Nov. 6, 1998

Description

The HB52R168DB is a 16M

1 bank Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line

Memory Module (S.O.DIMM), mounted 16 pieces of 64-Mbit SDRAM (HM5264405DTB) sealed in TCP

package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit EEPROM) for Presence Detect (PD). An outline of the

HB52R168DB is 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, the

HB52R168DB makes high density mounting possible without surface mount technology.

The

HB52R168DB provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted beside TCP

on the module board.

Note: Do not push the cover or drop the modules in order to protect from mechanical defects, which

would be electrical defects.

Features

•

Fully compatible with JEDEC standard outline unbuffered 8-byte S.O.DIMM

•

144-pin Zig Zag Dual tabs socket type



Outline: 67.60 mm (Length)

25.40 mm (Height)

3.80 mm (Thickness)



Lead pitch: 0.80 mm

•

3.3 V power supply

•

Clock frequency: 66 MHz

•

LVTTL interface

•

Data bus width:

64 Non parity

•

Single pulsed

RAS

•

4 Banks can operates simultaneously and independently

•

Burst read/write operation and burst read/single write operation capability

•

Programmable burst length : 1/2/4/8/full page

HB52R168DB-10DL相似产品对比

	HB52R168DB-10DL	HB52R168DB-10D
描述	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 9ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM144,32	SODIMM-144
针数	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns	9 ns
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz	66 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	144	144
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C
组织	16MX64	16MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM144,32	DIMM144,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096
最大待机电流	0.032 A	0.032 A
最大压摆率	1.76 mA	1.76 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL

HB52R168DB-10DL

HB52R168DB-10DL概述

HB52R168DB-10DL规格参数

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