HYB18T512400AC-3S概述

DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60

HYB18T512400AC-3S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	DSBGA
包装说明	FBGA,
针数	60
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	10.5 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	128MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm

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D a t a S h e e t , V 1. 1 1 , D e c . 2 0 0 3

HYB18T512400AC

HYB18T512800AC

HYB18T512160AC

512 Mbit DDR2 SDRAM

M e m o r y P r o d u c ts

N e v e r

s t o p

t h i n k i n g .

HYB18T512400AC-3S相似产品对比

	HYB18T512400AC-3S	HYB18T512800AC-3S	HYB18T512160AC-3S	HYB18T512800AC-3	HYB18T512400AC-3	HYB18T512160AC-3
描述	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 12.50 X 10 MM, MO-207DK-Z, FBGA-84	DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 10.50 X 10 MM, MO-207DJ-Z, FBGA-60	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 12.50 X 10 MM, MO-207DK-Z, FBGA-84
零件包装代码	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA	DSBGA
包装说明	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,	FBGA,
针数	60	60	84	60	60	84
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B84
长度	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	12.5 mm
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	8	16	8	4	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	60	60	84	60	60	84
字数	134217728 words	67108864 words	33554432 words	67108864 words	134217728 words	33554432 words
字数代码	128000000	64000000	32000000	64000000	128000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	128MX4	64MX8	32MX16	64MX8	128MX4	32MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

HYB18T512400AC-3S

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