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BYP35K4

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 35A, 400V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BYP35K4概述

Rectifier Diode, 1 Element, 35A, 400V V(RRM),

BYP35K4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
最高工作温度215 °C
最大输出电流35 A
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO

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BL
GALAXY ELECTRICAL
BYP35---SERIES
VOLTAGE RANGE:
50 -- 600 V
CURRENT: 35 A
SILICON PRESS-FIT DIODES
FEATURES
Norminal current 35A
Repetitive peak reverse voltage 600 V
Metal press -fit case with plastic cover
Casting compound has UL classification
94V-0
BYP
ф
11
0.1
ф
12.75
0.02
1.3
Kknurl0.8
5
±
0.2
ф
13
0.01
mm
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
BYP
35A05
BYP
35K05
V
RRM
V
RSM
I
F(AV)
50
60
BYP
35A1
BYP
35K1
100
120
BYP
35A2
BYP
35K2
200
240
35
BYP
35A3
BYP
35K3
300
360
BYP
35A4
BYP
35K4
400
480
BYP
35A6
BYP
35K6
600
700
Wire to anode
Wire to cathode
Repetitive peak reverse voltage
Surge peak reverse voltage
Max.average forward rectified current,
R-load
@T
C
=150
10.7
0.2
28.5min
UNITS
V
V
A
Repetitive peak forward current
f
15H
Z
(NOTE1)
I
FRM
110
A
Peak forward surge current,50/60 H
Z
half sine-wave
Forward voltage
Leakage current
Rating for fusing
@ I
F
=35A
@Tj=25
t 10ms
I
FSM
V
F
I
R
i
2
t
R
thc
T
j
T
S
360/400
1.1
100
660.0
0.8
- 55 --- +
215
- 55 --- +
215
A
V
μA
A
2
S
K/W
Thermal resistance junction to case
Operating junction temperature
Storage temperature range
NOTE: Max.case temperature T
C
=150 -Max.
www.galaxycn.com
Document Number 0292012
BL
GALAXY ELECTRICAL
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