Bi-Directional FIFO, 1KX9, 10ns, Synchronous, CMOS, PQFP64, GREEN, PLASTIC, TQFP-64
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 零件包装代码 | QFP |
| 包装说明 | LQFP, QFP64,.63SQ,32 |
| 针数 | 64 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 10 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 66.7 MHz |
| 周期时间 | 15 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 14 mm |
| 内存密度 | 9216 bit |
| 内存集成电路类型 | BI-DIRECTIONAL FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 64 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1KX9 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LQFP |
| 封装等效代码 | QFP64,.63SQ,32 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.6 mm |
| 最大待机电流 | 0.01 A |
| 最大压摆率 | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 14 mm |
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