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IDT72V05L25JGI

产品描述FIFO, 8KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小289KB,共12页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT72V05L25JGI概述

FIFO, 8KX9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, GREEN, PLASTIC, LCC-32

IDT72V05L25JGI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionIDT IDT72V05L25JGI, FIFO Memory, Dual 72kbit, 8K x 9 bit, Bi-Directional 25ns, 3 → 3.6 V, 32-Pin PLCC
最长访问时间25 ns
其他特性RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)28.5 MHz
周期时间35 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e3
长度13.97 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX9
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11.43 mm
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