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HM67B3632FP-10

产品描述Cache SRAM, 32KX36, 10ns, MOS, PQFP100, LQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小346KB,共15页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM67B3632FP-10概述

Cache SRAM, 32KX36, 10ns, MOS, PQFP100, LQFP-100

HM67B3632FP-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码QFP
包装说明LQFP, QFP100,.7X.9
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
其他特性BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX36
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装等效代码QFP100,.7X.9
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.13 V
最大压摆率0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm
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