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HI3104AP: 产品描述EEPROM, 512X8, 925ns, Parallel, CMOS, PDIP24; 产品类别存储存储; 文件大小287KB，共5页; 制造商Hughes Microelectronics

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HI3104AP概述

EEPROM, 512X8, 925ns, Parallel, CMOS, PDIP24

	HI3104AP	HI3104AL
描述	EEPROM, 512X8, 925ns, Parallel, CMOS, PDIP24	EEPROM, 512X8, 925ns, Parallel, CMOS, PQCC32
是否Rohs认证	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP24,.6	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknown	unknown
最长访问时间	925 ns	925 ns
命令用户界面	NO	NO
数据轮询	NO	NO
耐久性	10000 Write/Erase Cycles	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T24	R-PQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
端子数量	24	32
字数	512 words	512 words
字数代码	512	512
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	512X8	512X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCN
封装等效代码	DIP24,.6	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.007 mA	0.007 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD
切换位	NO	NO

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ