AH164-81,AH164-81 pdf中文资料,AH164-81引脚图,AH164-81电路-Datasheet-电子工程世界

AH164-81: 产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 2.92pF C(T), 45V, Gallium Arsenide, Abrupt; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小111KB，共5页; 制造商Thales Group

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AH164-81概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to KA Band, 2.92pF C(T), 45V, Gallium Arsenide, Abrupt

参数名称	属性值
厂商名称	Thales Group
包装说明	O-XEMW-F2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	45 V
配置	SINGLE
二极管电容容差	20%
最小二极管电容比	4
标称二极管电容	2.92 pF
二极管元件材料	GALLIUM ARSENIDE
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO KA BAND
JESD-30 代码	O-XEMW-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	4500
最大反向电流	0.1 µA
反向测试电压	10 V
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	END
变容二极管分类	ABRUPT

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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