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SM4005

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小185KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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SM4005概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SM4001 --- SM4007
REVERSE VOLTAGE: 50 - 1000 V
CURRENT: 1.0 A
DO - 213AB
SURFACE MOUNT RECTIFIER
Glass passivated device
Ideal for surface mouted applications
Low leakage current
Metallurgically bonded construction
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-213AB,molded plastic over
passivated chip
Terminals:Solder Plated, solderable per
MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Weight: 0.0046 ounces, 0.116 gram
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60Hz,resistive or inductive load.For capactive load,derate current by 20%.
SM
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forword
rectified current
T
A
=75℃
SM
100
70
100
SM
200
140
200
SM
4004
400
280
400
1.0
SM
4005
600
420
600
SM
4006
800
560
800
SM
4007
1000
700
1000
4001 4002 4003
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
UNITS
V
V
V
A
Peak forward surge current 8.3ms single
half-sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC method)
Maximum forward voltage at 1.0A
Maximum DC reverse current
@T
A
=25℃
I
FSM
V
F
I
R
C
j
R
jθL
R
jθA
T
j
T
STG
30
1.1
5.0
50
15
20
50
- 55 --- + 175
- 55 --- + 175
A
V
μA
pF
℃/W
℃/W
www.galaxycn.com
at rated DC blockjing voltage @T
A
=125℃
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance
Typical thermal resistance
(NOTE 2)
(NOTE 3)
Operating temperature range
Storage temperature range
NOTES:1. Measured at 1.0MHz and applied average voltage of 4.0V DC.
2. Thermal resistance junction to lead, 6.0 mm
2
coppeer pads to each terminal.
3. Thermal resistance junction to ambient, 6.0 mm
2
coppeer pads to each terminal.
Document Number 0280057
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

SM4005相似产品对比

SM4005 SM4001 SM4003 SM4002 SM4004 SM4006 SM4007
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE SIGNAL DIODE
端子数量 - 2 2 2 2 - -
元件数量 - 1 1 1 1 - -
状态 - DISCONTINUED ACTIVE DISCONTINUED DISCONTINUED - ACTIVE
包装形状 - 矩形的 ROUND 矩形的 - -
包装尺寸 - SMALL OUTLINE LONG FORM LONG FORM SMALL OUTLINE - -
表面贴装 - Yes Yes Yes Yes - -
端子形式 - C BEND WRAP AROUND WRAP AROUND C BEND - -
端子位置 - END END - -
包装材料 - 塑料/环氧树脂 PLASTIC/EPOXY 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 - -
结构 - 单一的 SINGLE 单一的 单一的 - -
二极管元件材料 - SILICON - -
二极管类型 - 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管 信号二极管 - 信号二极管
最大重复峰值反向电压 - 50 V 200 V 100 V 400 V - -
最大平均正向电流 - 1 A 1 A 1 A 1 A - -
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