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HY5V58BF-H

产品描述Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
产品类别存储    存储   
文件大小269KB，共14页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5V58BF-H概述

Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5V58BF-H规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA54,9X9,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B54
JESD-609代码e1
长度13.5 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.07 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm

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HY5V58B(L)F
4Banks x 8M x 8bits Synchronous DRAM
DESCRIPTION
The Hynix HY5V58B(L)F is a 268,435,456bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applica-
tions which require large memory density and high bandwidth. HY5V58B(L)F is organized as 4banks of 8,388,608x8.
HY5V58B(L)F is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs
are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high
bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.
Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write
cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count
sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate
command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined
design is not restricted by a `2N` rule.)
FEATURES
•
•
•
•
Single 3.3±0.3V power supply
All device Balls are compatible with LVTTL interface
54Ball FBGA With 0.8mm of ball pitch
All inputs and outputs referenced to positive edge of
system clock
Data mask function by DQM
•
•
Internal four banks operation
Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks
•
•
•
Auto refresh and self refresh
8192 refresh cycles / 64ms
Programmable Burst Length and Burst Type
- 1, 2, 4, 8 or Full Page for Sequential Burst
- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst
•
ORDERING INFORMATION
Part No.
HY5V58BF-H
HY5V58BF-8
HY5V58BF-P
HY5V58BF-S
HY5V58B(L)F-H
HY5V58B(L)F-8
HY5V58B(L)F-P
HY5V58B(L)F-S
Clock Frequency
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
Power
Organization
Interface
Package
Normal
4Banks x 8Mbits
x8
Low power
LVTTL
54ball FBGA
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for
use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.1/Apr. 02
2

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描述 Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32 TFBGA, BGA54,9X9,32
针数 54 54 54 54 54 54 54 54
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 6 ns 5.4 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 125 MHz 100 MHz 100 MHz 125 MHz 100 MHz 100 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54 R-PBGA-B54
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 54 54 54 54 54 54 54 54
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8 32MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32 BGA54,9X9,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm 1.07 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.22 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.22 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm

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