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SKM800GA176D_09

产品描述830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小711KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM800GA176D_09概述

830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

830 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM800GA176D_09规格参数

参数名称属性值
端子数量4
额定关断时间1190 ns
最大集电极电流830 A
最大集电极发射极电压1700 V
加工封装描述CASE D 59, SEMITRANS 4, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量1
晶体管应用POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型N沟道
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间320 ns

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SKM 800GA176D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
4
Trench IGBT Modules
SKM 800GA176D
Module
Inverse Diode
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
Remarks
GA
1
06-10-2009 NOS
© by SEMIKRON

 
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