SKM600GA176D_09概述

660 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

660 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM600GA176D_09规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	660 A
最大集电极发射极电压	1700 V
端子数量	5
额定关断时间	1050 ns
加工封装描述	CASE D 59, SEMITRANS 4, 5 PIN
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	Active
壳体连接	ISOLATED
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
gate_emitter_voltage_max	20 V
jesd_30_code	R-XUFM-X5
jesd_609_code	e3/e4
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
元件数量	1
最大工作温度	150 Cel
包装材料	UNSPECIFIED
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
larity_channel_type	N-CHANNEL
qualification_status	COMMERCIAL
eference_standard	IEC-60747-1
sub_category	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装	NO
端子涂层	TIN/SILVER
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
额定导通时间	360 ns
vcesat_max	2.45 V
dditional_feature	UL RECOGNIZED

SKM 600GA176D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

Trench IGBT Modules

SKM 600GA176D

Module

Inverse Diode

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

Remarks

06-10-2009 NOS

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY