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SKM40GDL123D

产品描述40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小674KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM40GDL123D概述

40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

40 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SKM40GDL123D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数2
制造商包装代码CASE D 73
Reach Compliance Codeunknow
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X17
JESD-609代码e2
元件数量7
端子数量17
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)440 ns
标称接通时间 (ton)125 ns
VCEsat-Max3 V

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SKM 40GD123D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
6
IGBT modules
SKM 40GD123D
SKM 40GDL123D
Module
Inverse Diode
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GD
GDL
1
13-01-2009 NOS
© by SEMIKRON

SKM40GDL123D相似产品对比

SKM40GDL123D SKM40GD123D SKM40GD123D_09
描述 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量 7 6 6
端子数量 17 17 17
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否无铅 不含铅 不含铅 -
是否Rohs认证 符合 符合 -
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON -
零件包装代码 DO-204 DO-204 -
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 CASE D 67, SEMITRANS 6, 17 PIN -
针数 2 2 -
制造商包装代码 CASE D 73 CASE D 67 -
Reach Compliance Code unknow compli -
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
最大集电极电流 (IC) 40 A 40 A -
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V -
配置 COMPLEX BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE -
门极-发射极最大电压 20 V 20 V -
JESD-30 代码 R-XUFM-X17 R-XUFM-X17 -
JESD-609代码 e2 e2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 200 W 200 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO -
端子面层 Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
标称断开时间 (toff) 440 ns 440 ns -
标称接通时间 (ton) 125 ns 125 ns -
VCEsat-Max 3 V 3 V -
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