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SKM400GAL176D

产品描述430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小762KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM400GAL176D概述

430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

430 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM400GAL176D规格参数

参数名称属性值
端子数量7
额定关断时间1025 ns
最大集电极电流430 A
最大集电极发射极电压1700 V
加工封装描述CASE D56, SEMITRANS3-7
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量2
晶体管应用POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型N沟道
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间385 ns

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SKM 400GB176D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Trench IGBT Modules
SKM 400GB176D
SKM 400GAL176D
Freewheeling Diode
Inverse Diode
Features
Module
Typical Applications
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
GB
GAL
1
06-10-2009 NOS
© by SEMIKRON

SKM400GAL176D相似产品对比

SKM400GAL176D SKM400GB176D_09
描述 430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT 430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 7 7
额定关断时间 1025 ns 1025 ns
最大集电极电流 430 A 430 A
最大集电极发射极电压 1700 V 1700 V
加工封装描述 CASE D56, SEMITRANS3-7 CASE D56, SEMITRANS3-7
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 矩形的 矩形的
包装尺寸 凸缘安装 凸缘安装
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子涂层 锡/银 锡/银
端子位置 UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
结构 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接 隔离 隔离
元件数量 2 2
晶体管应用 POWER 控制 POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型 N沟道 N沟道
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 385 ns 385 ns
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