430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
430 A, 1700 V, N沟道 IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 7 |
| 额定关断时间 | 1025 ns |
| 最大集电极电流 | 430 A |
| 最大集电极发射极电压 | 1700 V |
| 加工封装描述 | CASE D56, SEMITRANS3-7 |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子涂层 | 锡/银 |
| 端子位置 | UPPER |
| 包装材料 | UNSPECIFIED |
| 结构 | 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | 隔离 |
| 元件数量 | 2 |
| 晶体管应用 | POWER 控制 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | 385 ns |

| SKM400GAL176D | SKM400GB176D_09 | |
|---|---|---|
| 描述 | 430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT | 430 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 端子数量 | 7 | 7 |
| 额定关断时间 | 1025 ns | 1025 ns |
| 最大集电极电流 | 430 A | 430 A |
| 最大集电极发射极电压 | 1700 V | 1700 V |
| 加工封装描述 | CASE D56, SEMITRANS3-7 | CASE D56, SEMITRANS3-7 |
| 无铅 | Yes | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子涂层 | 锡/银 | 锡/银 |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 包装材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 结构 | 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 | 系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | 隔离 | 隔离 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 晶体管应用 | POWER 控制 | POWER 控制 |
| 晶体管元件材料 | 硅 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 | N沟道 |
| 晶体管类型 | INSULATED GATE BIPOLAR | INSULATED GATE BIPOLAR |
| 额定导通时间 | 385 ns | 385 ns |
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