SKM22GD123D: 产品描述IGBT modules; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小634KB，共6页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

SKM22GD123D概述

IGBT modules

SKM22GD123D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
零件包装代码	DO-204
包装说明	CASE D 67, SEMITRANS 6, 17 PIN
针数	2
制造商包装代码	CASE D 67
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	25 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X17
JESD-609代码	e2
元件数量	6
端子数量	17
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	145 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	420 ns
标称接通时间 (ton)	75 ns
VCEsat-Max	3 V

SKM 22GD123D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

IGBT modules

SKM 22GD123D

Module

Inverse Diode

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

13-01-2009 NOS

	SKM22GD123D	SKM22GD123D_09
描述	IGBT modules	IGBT modules

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多