IGBT Modules
SKM200GB123D_09 | SKM200GAL123D | SKM200GAR123D | SKM200GB123D | |
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描述 | IGBT Modules | IGBT Modules | IGBT Modules | IGBT Modules |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | - | SEMIKRON | SEMIKRON | SEMIKRON |
零件包装代码 | - | DO-204 | DO-204 | DO-204 |
包装说明 | - | CASE D57, SEMITRANS3-7 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
针数 | - | 2 | 2 | 2 |
制造商包装代码 | - | CASE D57 | CASE D58 | CASE D56 |
Reach Compliance Code | - | compli | compli | compli |
其他特性 | - | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
外壳连接 | - | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | - | 200 A | 200 A | 200 A |
集电极-发射极最大电压 | - | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | - | 20 V | 20 V | 20 V |
JESD-30 代码 | - | R-XUFM-X5 | R-XUFM-X5 | R-XUFM-X7 |
JESD-609代码 | - | e2 | e2 | e3/e4 |
元件数量 | - | 1 | 1 | 2 |
端子数量 | - | 5 | 5 | 7 |
最高工作温度 | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | - | 1300 W | 1300 W | 1300 W |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | - | NO | NO | NO |
端子面层 | - | Tin/Silver (Sn/Ag) | Tin/Silver (Sn/Ag) | TIN/SILVER |
端子形式 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
端子位置 | - | UPPER | UPPER | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | - | POWER CONTROL | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON | SILICON |
标称断开时间 (toff) | - | 670 ns | 670 ns | 670 ns |
标称接通时间 (ton) | - | 320 ns | 320 ns | 320 ns |
VCEsat-Max | - | 3 V | 3 V | 3 V |
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