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SKM200GB123D_09

产品描述IGBT Modules
文件大小648KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM200GB123D_09概述

IGBT Modules

SKM200GB123D_09相似产品对比

SKM200GB123D_09 SKM200GAL123D SKM200GAR123D SKM200GB123D
描述 IGBT Modules IGBT Modules IGBT Modules IGBT Modules
是否无铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合
厂商名称 - SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
零件包装代码 - DO-204 DO-204 DO-204
包装说明 - CASE D57, SEMITRANS3-7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数 - 2 2 2
制造商包装代码 - CASE D57 CASE D58 CASE D56
Reach Compliance Code - compli compli compli
其他特性 - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) - 200 A 200 A 200 A
集电极-发射极最大电压 - 1200 V 1200 V 1200 V
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压 - 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 - R-XUFM-X5 R-XUFM-X5 R-XUFM-X7
JESD-609代码 - e2 e2 e3/e4
元件数量 - 1 1 2
端子数量 - 5 5 7
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 1300 W 1300 W 1300 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - NO NO NO
端子面层 - Tin/Silver (Sn/Ag) Tin/Silver (Sn/Ag) TIN/SILVER
端子形式 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 - UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) - 670 ns 670 ns 670 ns
标称接通时间 (ton) - 320 ns 320 ns 320 ns
VCEsat-Max - 3 V 3 V 3 V

 
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