SKM195GB066D_09概述

265 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT

265 A, 600 V, N沟道 IGBT

SKM195GB066D_09规格参数

参数名称	属性值
端子数量	7
额定关断时间	569 ns
最大集电极电流	265 A
最大集电极发射极电压	600 V
加工封装描述	CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	FLANGE MOUNT
端子形式	UNSPECIFIED
端子涂层	TIN/SILVER
端子位置	UPPER
包装材料	UNSPECIFIED
结构	SERIES CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	ISOLATED
元件数量	2
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
通道类型	N-CHANNEL
晶体管类型	INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间	228 ns

SKM 195GB066D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

Trench IGBT Modules

SKM195GB066D

Inverse Diode

Module

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications

Remarks

GAL

06-10-2009 NOS

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W