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SKM111AR_08

产品描述200 A, 100 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小501KB,共4页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM111AR_08概述

200 A, 100 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

200 A, 100 V, 0.0085 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

SKM111AR_08规格参数

参数名称属性值
端子数量4
最小击穿电压100 V
加工封装描述CASE D15, SEMITRANS-4
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的 WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量1
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用电源
最大漏电流200 A
最大漏极导通电阻0.0085 ohm
最大漏电流脉冲600 A

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SKM 111AR
MOSFET,TRANSISTOR
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Inverse diode
SEMITRANS
TM
M1
Power MOSFET Modules
SKM 111AR
Characteristics
Symbol Conditions
min.
typ.
max.
Units
Features
Inverse diode
Typical Applications
Thermal characteristics
Mechanical data
MA
1
03-12-2008 NOS
© by SEMIKRON

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描述 200 A, 100 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 200 A, 100 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
端子数量 4 4
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
元件数量 1 1
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