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SKM100GD063DL

产品描述Superfast NPT-IGBT Module
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小789KB,共5页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM100GD063DL概述

Superfast NPT-IGBT Module

SKM100GD063DL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
针数2
制造商包装代码CASE D68
Reach Compliance Codecompli
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)130 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X17
JESD-609代码e2
元件数量6
端子数量17
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)450 W
认证状态Not Qualified
参考标准IEC-60747-1
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)335 ns
标称接通时间 (ton)90 ns
VCEsat-Max2.5 V

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SKM 100GD063DL
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
6
Superfast NPT-IGBT
Module
SKM 100GD063DL
Inverse Diode
Module
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications
GD
1
24-08-2009 DIL
© by SEMIKRON

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