电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT18HTS51272RHIY-40EXX

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小426KB,共25页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准  
下载文档 详细参数 全文预览

MT18HTS51272RHIY-40EXX概述

DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-274, SODIMM-200

MT18HTS51272RHIY-40EXX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XZMA-N200
JESD-609代码e4
长度67.6 mm
内存密度38654705664 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.8 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度30 mm

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 40  313  425  507  542 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved