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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BF844RLRM
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BF844RLRM

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB，共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BF844RLRM概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

BF844RLRM规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）10000 ns
最大开启时间（吨）600 ns
VCEsat-Max0.75 V

BF844RLRM相似产品对比

BF844RLRM BF844ZL1 BF844RLRP BF844RL BF844RLRA BF844RLRF BF844RLRE BF844RL1 BF844RLRB
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 300mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 300mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 300mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 300mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 300mA, 400V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A 0.3 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20 20 20 20 20 20 20 20
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns 10000 ns
最大开启时间（吨） 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns 600 ns
VCEsat-Max 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V

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