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SHD225715

产品描述POWER MOSFET - N-CHANNEL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共2页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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SHD225715概述

POWER MOSFET - N-CHANNEL

SHD225715规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)55 A
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)440 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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SENSITRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4340, REV. -
SHD225715
SHDCG225715
FEATURES:
60 Volt, 0.008 Ohm, 110A MOSFET for Glidcop version
Isolated Hermetic Metal Package
Ultra Low R
DS (on)
Available with Ceramic Seals and Glidcop leads, use part number SHDCG225715
LOW R
DS
HERMETIC POWER MOSFET - N-CHANNEL
MAXIMUM RATINGS
ALL RATINGS ARE AT T
C
= 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.
SYMBOL
V
GS
I
D25
I
DM
T
J
/T
STG
P
D
R
θJC
MIN.
-
-
-
-55
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
MAX.
±20
55*
440
+175
215
0.7
UNITS
Volts
Amps
Amps
°C
Watts
°C/W
RATING
GATE TO SOURCE VOLTAGE
ON-STATE DRAIN CURRENT
PULSED DRAIN CURRENT
OPERATING AND STORAGE TEMPERATURE
TOTAL DEVICE DISSIPATION
THERMAL RESISTANCE, JUNCTION TO CASE
Note: * current limited by package; die rating is 110A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE
V
GS
= 0V, I
D
= 250µA
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
STATIC DRAIN TO SOURCE ON STATE RESISTANCE
V
GS
= 10V, I
D
= 30A
GATE THRESHOLD VOLTAGE V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
FORWARD TRANSCONDUCTANCE
V
DS
= 15V, I
D
= 30A
ZERO GATE VOLTAGE DRAIN CURRENT
V
DS
= 0.8 x Max. rating, V
GS
= 0V, T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
GATE TO SOURCE LEAKAGE FORWARD
V
GS
= 20V
GATE TO SOURCE LEAKAGE REVERSE
V
GS
= -20V
TURN ON DELAY TIME
V
DD
= 30V
RISE TIME
I
D
= 55A
TURN OFF DELAY TIME
V
GS
=10V
FALL TIME
R
G
= 2.5Ω
DIODE FORWARD VOLTAGE
I
F
= 30A, V
GS
= 0V
Pulse test, t
300
µs,
duty cycle d
2 %
REVERSE RECOVERY TIME
T
J
= 25°C,
I
F
=30A, V
R
= 100V
di/dt = 100A/µsec
REVERSE RECOVERY CHARGE
T
J
= 25°C,
I
F
=30A, V
R
= 100V
di/dt = 100A/µsec
INPUT CAPACITANCE
V
GS
= 0 V,
OUTPUT CAPACITANCE
V
DS
= 25 V,
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
f = 1.0MHz
SYMBOL
BV
DSS
R
DS(ON)
Glidcop
Version
R
DS(ON)
Standard
Version
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
I
GSS
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
V
SD
t
rr
Q
rr
C
iss
C
oss
C
rss
MIN.
60
-
-
1
30
-
-
-
TYP.
-
0.006
0.008
-
-
-
-
20
135
80
150
1.1
75
MAX.
-
0.008
0.010
3
-
1
50
100
-100
30
200
120
220
1.3
120
UNITS
Volts
Volts
S(1/Ω)
µA
nA
nsec
-
-
Volts
nsec
-
-
0.1
7500
1050
700
0.25
-
µC
pF
•221
WEST INDUSTRY COURT
DEER PARK, NY 11729-4681
PHONE (631) 586-7600
FAX (631) 242-9798•
World Wide Web Site - www.sensitron.com
E-Mail Address - sales@sensitron.com

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描述 POWER MOSFET - N-CHANNEL POWER MOSFET - N-CHANNEL
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 SENSITRON SENSITRON
零件包装代码 TO-254AA TO-254AA
包装说明 FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 55 A 55 A
最大漏源导通电阻 0.01 Ω 0.01 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 440 A 440 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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