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BR1008(W)

产品描述Bridge Rectifier Diode, 10A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BR1008(W)概述

Bridge Rectifier Diode, 10A, 800V V(RRM),

BR1008(W)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流10 A
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO

BR1008(W)相似产品对比

BR1008(W) BR1006(W)
描述 Bridge Rectifier Diode, 10A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 10A, 600V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 10 A 10 A
最大重复峰值反向电压 800 V 600 V
表面贴装 NO NO
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