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BUR21-JQR-BR1

产品描述Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BUR21-JQR-BR1概述

Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BUR21-JQR-BR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)40 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
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