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BUZ11AL-E3045

产品描述Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BUZ11AL-E3045概述

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN

BUZ11AL-E3045规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-220AB
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)14 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)26 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)104 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BUZ11AL-E3045相似产品对比

BUZ11AL-E3045 BUZ11AL-E3044 BUZ11AL-E3046
描述 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 50V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 14 mJ 14 mJ 14 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 50 V 50 V
最大漏极电流 (ID) 26 A 26 A 26 A
最大漏源导通电阻 0.055 Ω 0.055 Ω 0.055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 104 A 104 A 104 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES NO
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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