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BC638-10

产品描述TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BC638-10概述

TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

BC638-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)63
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V

BC638-10相似产品对比

BC638-10 BC640-10
描述 TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 63 63
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V

 
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