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BSP20TC

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BSP20TC概述

Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

BSP20TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz

BSP20TC相似产品对比

BSP20TC
描述 Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
厂商名称 Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A
集电极-发射极最大电压 250 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
元件数量 1
端子数量 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz
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