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BU941TFI

产品描述15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小213KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准  
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BU941TFI概述

15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

BU941TFI规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codenot_compliant
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值55 W
最大功率耗散 (Abs)55 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max1.8 V

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BU941T/BU941TFI
BU941SM
HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER
NPN POWER DARLINGTON
PRELIMINARY DATA
s
s
s
s
VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY
HIGH OPERATING JUNCTION
TEMPERATURE
WIDE RANGE OF PACKAGES
POWER PACKAGE SPECIFICALLY
DESIGNED FOR SURFACE MOUNTING
(Power SO-10 )
1
2
3
1
2
3
APPLICATIONS
s
HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC
IGNITIONS
TO-220
ISOWATT220
10
1
Power SO-10
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
for
Power S O-10
Emitter: pins 1 - 5
Base: pins 6 - 10
Collector: tab
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
C ES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
B M
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
BU941T
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Base Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
BU941TFI
500
400
5
15
30
1
5
150
-65 to 175
175
55
-65 to 175
175
150
-65 to 175
175
BU941SM
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
1/8
Dicember 1993

BU941TFI相似产品对比

BU941TFI BU941T
描述 15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-220, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
外壳连接 ISOLATED COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 300 300
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 175 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 55 W 180 W
最大功率耗散 (Abs) 55 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE PIN/PEG
端子位置 SINGLE BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
VCEsat-Max 1.8 V 2 V
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