15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 55 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 55 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.8 V |

| BU941TFI | BU941T | |
|---|---|---|
| 描述 | 15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | 15A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-220, 3 PIN |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| 外壳连接 | ISOLATED | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 15 A | 15 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 400 V | 400 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 300 | 300 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | METAL |
| 封装形状 | RECTANGULAR | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 55 W | 180 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 55 W | 150 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | PIN/PEG |
| 端子位置 | SINGLE | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| VCEsat-Max | 1.8 V | 2 V |
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