Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SIEMENS |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 170 pF |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 54 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 310 ns |
| 最大开启时间（吨） | 100 ns |
| BUZ31-E3045 | BUZ31-E3046 | BUZ31-E3044 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, 4 PIN |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 200 mJ | 200 mJ | 200 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13.5 A | 13.5 A | 13.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.2 Ω | 0.2 Ω | 0.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 170 pF | 170 pF | 170 pF |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 75 W | 75 W | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 54 A | 54 A | 54 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 310 ns | 310 ns | 310 ns |
| 最大开启时间（吨） | 100 ns | 100 ns | 100 ns |
| 厂商名称 | SIEMENS | - | SIEMENS |
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