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APT20GF120BRDQ1: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小464KB，共9页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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APT20GF120BRDQ1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

	APT20GF120BRDQ1	APT20GF120SRDQ1
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN	Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	TO-247	D2PAK
包装说明	TO-247, 3 PIN	D3PAK-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	36 A	36 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值	6.5 V	6.5 V
门极-发射极最大电压	30 V	30 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	3	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W	200 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	255 ns	255 ns
标称接通时间 (ton)	19 ns	19 ns

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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