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BD140

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
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BD140概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-126

BD140规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)8 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)75 MHz

BD140相似产品对比

BD140 BD202 BD138-6 BD139-6 BD157 BD158 BD201
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220 TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA TRANSISTOR,BJT,NPN,250V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,300V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,45V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 8 A 1.5 A 1.5 A 0.5 A 0.5 A 8 A
配置 Single Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 30 40 40 30 30 30
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 140 °C 150 °C 150 °C 150 °C 140 °C 140 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 8 W 60 W 13 W 13 W 20 W 20 W 60 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) - - National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
标称过渡频率 (fT) 75 MHz 7 MHz 75 MHz 250 MHz - - 7 MHz
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