NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 140 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.7 V |
| ZTX455 | ZTX454 | |
|---|---|---|
| 描述 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Zetex Semiconductors | Zetex Semiconductors |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 15 pF | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 140 V | 120 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e3 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 2 W | 2 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.7 V | 0.7 V |
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