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BDW44

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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BDW44概述

Transistor

BDW44规格参数

参数名称属性值
厂商名称Inchange Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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INCHANGE Semiconductor
isc
Product Specification
isc
Silicon PNP Darlington Power Transistor
BDW44
DESCRIPTION
·Collector-Emitter
Sustaining Voltage-
: V
CEO(SUS)
= -45V(Min)
·High
DC Current Gain
: h
FE
= 1000(Min) @I
C
= -5A
·Low
Collector Saturation Voltage
: V
CE(sat)
= -2.0V(Max.)@ I
C
= -5.0A
= -3.0V(Max.)@ I
C
= -10A
·Complement
to Type BDW39
APPLICATIONS
·Designed
for general purpose and low speed switching
applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
B
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
Storage Temperature Range
w
.cn
i
em
cs
.is
w
w
VALUE
-45
UNIT
V
-45
-5
V
V
-15
A
-0.5
85
150
-55~150
A
W
P
C
T
J
T
stg
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
R
th j-c
PARAMETER
Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.47
UNIT
℃/W
isc Website:www.iscsemi.cn
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