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EDI2CG27264V10D1

产品描述SRAM Module, 1MX8, 10ns, CMOS,
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文件大小230KB,共11页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI2CG27264V10D1概述

SRAM Module, 1MX8, 10ns, CMOS,

EDI2CG27264V10D1规格参数

参数名称属性值
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间10 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 128K X 64
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量144
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.21 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率2.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.14 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

EDI2CG27264V10D1相似产品对比

EDI2CG27264V10D1 EDI2CG27264V9D1 EDI2CG27264V85D1 EDI2CG27264V12D1
描述 SRAM Module, 1MX8, 10ns, CMOS, SRAM Module, 1MX8, 9ns, CMOS, SRAM Module, 1MX8, 8.5ns, CMOS, SRAM Module, 1MX8, 12ns, CMOS,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 10 ns 9 ns 8.5 ns 12 ns
其他特性 CONFIGURABLE AS 128K X 64 CONFIGURABLE AS 128K X 64 CONFIGURABLE AS 128K X 64 CONFIGURABLE AS 128K X 64
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.21 A 0.21 A 0.22 A 0.2 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 2.1 mA 2.1 mA 2.2 mA 2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 EDI [Electronic devices inc.] - EDI [Electronic devices inc.] EDI [Electronic devices inc.]
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