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MBR1100

产品描述1A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小95KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MBR1100概述

1A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

MBR1100规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

MBR1100相似产品对比

MBR1100 MBR1100RL
描述 1A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 1A, 100V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V
表面贴装 NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
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