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BR211-160T/R

产品描述Breakover Diode, 180 V, SYMMETRICAL BOD
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小139KB,共5页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BR211-160T/R概述

Breakover Diode, 180 V, SYMMETRICAL BOD

BR211-160T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大转折电压180 V
最小转折电压140 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大维持电流150 mA
标称维持电流150 mA
JESD-30 代码O-GALF-W2
最大非重复峰值正向电流15 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度70 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
重复峰值反向电压140 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
触发设备类型SYMMETRICAL BOD

BR211-160T/R相似产品对比

BR211-160T/R BR211-280T/R
描述 Breakover Diode, 180 V, SYMMETRICAL BOD Breakover Diode, 314 V, SYMMETRICAL BOD
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code compliant compliant
最大转折电压 180 V 314 V
最小转折电压 140 V 246 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
最大维持电流 150 mA 150 mA
标称维持电流 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 O-GALF-W2 O-GALF-W2
最大非重复峰值正向电流 15 A 15 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 70 °C 70 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
重复峰值反向电压 140 V 246 V
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
触发设备类型 SYMMETRICAL BOD SYMMETRICAL BOD

 
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